Фундаментальное открытие в разработке транзисторов на основе нитрида галлия

Команда из Индийского научного института (IISc) совершила важное открытие в проектировании силовых транзисторов на базе нитрида галлия (GaN). Это новшество может существенно повысить безопасность и упрощение взаимодействия с высокотехнологичной электроникой. Нитрид галлия способен значительно сократить потери энергии и уменьшить размеры силовых преобразователей, но его интеграция затруднена из-за укоренившихся ограничений затвора. Современные транзисторы на основе GaN ведут себя так, что начинают проводить ток при напряжении около 1,5–2 В, а при напряжении свыше 5–6 В — возникает утечка. Исследования команды сосредоточились на понимании механизма управления затвором и определяющих факторах порогового напряжения. Применяя новые решения, они добились увеличения стабильности порога и увеличения напряжения пробоя до 15,5 В, что может способствовать повсеместному внедрению технологий GaN в электронику, включая электромобили и системы возобновляемой энергии.