Micron Technology объявила о планах инвестировать около $9.6 миллиардов в новую производственную линию для памяти HBM в Хиросиме, Япония. Это решение связано с увеличением спроса на высокоскоростную память, необходимую для ускорителей в сфере искусственного интеллекта. Производство HBM становится более прибыльным по сравнению с традиционными типами памяти, такими как DDR и GDDR, что приводит к дефициту и росту цен на оперативную память и видеокарты.

Тем временем, Samsung также планирует увеличить свои мощности по производству DRAM, однако Micron сосредоточится на более дорогой HBM. Ожидается, что строительство новой линии начнется в следующем году, а массовое производство запланировано на 2028 год. На текущий момент Micron уже производит передовые модули LPDDR5x на существующей фабрике в Японии, используя технологию 1γ (1-Gamma) с интеграцией EUV-литографии.