Основным достижением 2-нм техпроцесса стала архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), которая оборачивает канал со всех сторон, что снижает утечки тока и увеличивает скорость на 10-15%, а энергопотребление — на 25-30% по сравнению с 3-нм процессом TSMC. Это критически важно для серверов ИИ и мобильных устройств, где энергия является ограничивающим фактором. Samsung использует опыт GAA из 3-нм техпроцессов для разработки SF2P с MBCFET-транзисторами, позволяющими гибко управлять производительностью и энергозатратами. В то время как Samsung стремится обеспечить 60% выход годных изделий к 2025 году, TSMC уже заручилась почти 50% мощностей для производства чипов A20 и A20 Pro. Важной частью новой технологии станет жидкостное охлаждение, необходимое для высокопроизводительных чипов, таких как NVIDIA Rubin. Ожидается, что первые коммерческие 2-нм ускорители ИИ появятся к 2026 году, открывая новые горизонты для робототехники и автономного транспорта.