Память типа HBM, состоящая из нескольких слоев, известна своей высокой скоростью, но ее производство остается дорогостоящим и сложным. Как сообщает издание Business Korea, организация JEDEC готовит изменения в стандартах, касающихся высоты стека HBM4E, чтобы облегчить работу производителям памяти как текущего поколения, так и будущих.

По действующим стандартам максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, тогда как для HBM4 этот показатель установлен на уровне 775 мкм. Однако для HBM4E планируется значительное увеличение — до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов и увеличить емкость памяти. В настоящее время чипы HBM3E имеют до 12 ярусов, но уже существуют образцы 16-ярусных микросхем HBM3E и HBM4.

Смягчение требований также снизит уровень брака и позволит увеличить объем качественной продукции. Однако некоторые производители, такие как Samsung и SK hynix, уже превосходят текущие стандарты, и изменения могут упростить выход на рынок для конкурентов, особенно из Китая.