Основные игроки на китайском рынке памяти намерены значительно нарастить производство, используя возможности, открывающиеся на фоне мирового дефицита. Они стремятся сократить отставание от лидеров — Samsung, SK Hynix и Micron. Это расширение не только ответ на растущий внутренний спрос, но и шаг к выходу на международные рынки. Если тройка лидеров делает акцент на производство памяти для сегмента искусственного интеллекта, то китайские компании также сосредоточатся на потребительском сегменте.
ChangXin Memory Technologies (CXMT), ведущий производитель DRAM в Китае, планирует увеличить свои мощности в Шанхае вдвое или втрое. Производственные линии будут производить DRAM для компьютеров, серверов, автомобилей и различных электронных устройств. Запуск нового оборудования ожидается во второй половине 2026 года, а производство начнется в 2027. К тому же, компания расширит производство HBM для ускорителей ИИ, стремясь увеличить свою долю на рынке с текущих 11,1% до 13,9% к 2027 году. CXMT уже поставляет DDR4 и LPDDR4, и готовится перейти на DDR5.
Yangtze Memory Technologies (YMTC), основной производитель NAND в Китае, расширяет мощности в Ухане, открытие нового завода намечено на 2027 год, где также будет организовано производство DRAM. В 2022 году компания столкнулась с санкциями США, однако успешно справилась с этой ситуацией и запустила свою разработку DRAM, продолжая развивать новые производственные линии.