SK hynix намерена начать коммерческое производство чипов памяти на своём новом заводе M15X на четыре месяца раньше запланированного срока, сообщает The Elec. По информации источников, компания запустит производство кристаллов 1b DRAM (10 нм) для стэков памяти HBM4 в феврале следующего года. Изначально запуск намечался на июнь. Ожидаемая начальная мощность завода составит около 10 000 пластин в месяц, с дальнейшим увеличением к концу 2026 года.

Производитель активно устанавливает оборудование для расширения мощностей, чтобы соответствовать растущему спросу на высокопроизводительную память от Nvidia. Завод M15X будет полностью сосредоточен на производстве HBM4, которая совместима с новым ИИ-ускорителем Nvidia Rubin.

Образцы памяти уже были успешно протестированы клиентами. В частности, SK hynix предоставила образцы памяти в сентябре, которые были переданы Nvidia. Графические процессоры для ИИ будут собираться с учетом передовой технологии упаковки CoWoS от TSMC, позволяющей размещать различные элементы на одной подложке.

Тем временем Samsung также отправила образцы HBM4 для тестирования, но их оптимизация пока находится на более ранней стадии. Micron сообщила о полном резервировании своих мощностей по производству HBM4. Ожидается, что Nvidia выберет поставщиков памяти в начале следующего года.