На этой неделе Intel и imec объявили о значительном прогрессе в производстве двумерных транзисторов 2DFET, которые теперь могут изготавливаться в условиях крупносерийного производства. Несмотря на то что 2D-транзисторы изучаются уже более десяти лет, их интеграция в массовое производство оставалась сложной задачей из-за хрупкости материалов и специфических требований к процессам. В ходе демонстрации была представлена интеграция критически важных модулей на 300-миллиметровых пластинах, что свидетельствует о реальных перспективах внедрения 2D-технологий. Одним из ключевых достижений стало создание контактов и затворов, совместимых с производственными условиями, что позволяет избежать повреждений 2D-каналов. Хотя 2D-транзисторы не появятся в ближайшие годы, работа Intel и imec снижает риски, связанные с их разработкой и производством, подготавливая почву для будущих инноваций в области чипов.