Институт физики микроструктур Российской академии наук разработал дорожную карту, направленную на создание отечественных установок экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что самые современные системы, способные производить процессоры и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и ниже, будут готовы примерно через 10 лет. В отличие от литографов ASML, российские машины будут использовать альтернативные технологии, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на ксеноновой плазме. Это поможет избежать загрязнения фотошаблонов и снизить затраты на обслуживание. Дорожная карта включает три этапа: с 2026 по 2028 год планируется создать литограф для 40-нм техпроцесса, с 2029 по 2032 годы — разработать сканер для 14-нм чипов, а с 2033 по 2036 годы — систему для производства чипов с разрешением менее 10 нм. Каждое новое поколение будет отличаться улучшенной оптикой и большей эффективностью при значительно более низкой стоимости.