Samsung объявила о начале массового производства и коммерческих поставок новейшей памяти HBM4, став первой в мире компанией, создавшей этот продукт. Основная новинка — применение передового 4-нм техпроцесса для логического слоя и шести поколения 10-нм DRAM, что позволило добиться выдающихся показателей без серьезного изменения архитектуры. Скоростные характеристики составляют 11,7 Гбит/с, а предельная скорость достигает 13 Гбит/с. Пропускная способность увеличилась до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает результаты памяти HBM3E, что особенно актуально для обучения больших языковых моделей ИИ. Удвоенное количество контактов ввода-вывода (с 1024 до 2048) не помешало улучшить энергоэффективность на 40%. В настоящее время доступны модули объемом 24 и 36 ГБ, в будущем ожидается релиз 48 ГБ 16-слойных модулей. Samsung предсказывает значительный рост спроса на HBM, ожидая увеличения продаж в три раза к 2026 году. Параллельно с этим планируется старт тестирования улучшенной версии — HBM4E — во второй половине 2026 года и начало производства пользовательских чипов с 2027 года.