Прокуратура Центрального округа Сеула выдвинула обвинения против десяти человек, замешанных в крупной краже технологий 10-нанометрового класса DRAM-памяти у Samsung Electronics. Пятеро из этих обвиняемых, среди которых есть бывшие сотрудники компании, были арестованы. Ущерб, нанесенный Samsung, составляет около 5 триллионов вон (примерно 3,5 миллиарда долларов), а для экономики Южной Кореи он оценивается в десятки триллионов вон. Расследование установило, что китайская фирма ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла к сотрудничеству бывшего руководителя отдела Samsung, который вместе с другими экс-сотрудниками организовал схему кражи технологий. Одним из перебежчиков был скопирован производственный процесс DRAM, разработанный Samsung в течение пяти лет. Преступники создали фиктивную компанию и использовали кодовый язык для коммуникации, чтобы избежать обнаружения. Полученные данные были адаптированы для китайского оборудования, что позволило CXMT начать производство высококачественной памяти в 2023 году, сократив технологическое отставание. Прокуратура рассматривает этот инцидент как угрозу национальной безопасности, поскольку полупроводниковая отрасль составляет более 20% экспорта Южной Кореи. Власти намерены продолжать борьбу с незаконной передачей технологий за границу, наказывая как внутренних инсайдеров, так и тех, кто действует на территории Китая.